公司是这一历史阶段的先驱●▷。现在▽=◁○○，ASIC 供应商向所有人提供了设计基础设施▲▷▲●△▽、芯片实施和

　　测试 /

　　股份有限公司成立于 2005 年 4 月◇•◇●◁◇，主要从事功率半 导体芯片和模块尤其是 IGBT 芯片和模块研发▼▽…=、生产和销售服务的国家级 高新技术企业◇■。公司在全球 IGBT 模块市场市占率为 3■■△=▷★.3%-•▪☆，全球排名第 六▪☆，国内排名第一◆•，是国内 IGBT 领军企业…■=◁○。 公司的产品广泛应用于工业控制和电源◁=▽□•□、可再生能源=■◇•▼、新能源汽车▪◇、 白色家电等领域△•。 2021 年前三季度▼■，公司实现营收 11○◁●□▪☆.97 亿元☆■▪●■•，同比增长 79•●▷▽◇▼.11%◇▷，归母 净利润 2☆▼…•.67 亿元•★▪，同比增长 98◁▪●.71%▼•●▽△。

　　士兰微成立于 1997 年 9 月•=，2003 年 3 月公司在上交所上市▲○◁◆▼▷。目前已 发展成为国内规模最大的集成电路芯片设计与制造一体（IDM）的企业之 一▼★-•◆●。公司被国家发展和改革委员会◇…●▷-=、工业和化部等国家部委认定为 ◆•☆“国家规划布局内重点软件和集成电路设计企业△★-▽□▼”…△=▪○△，且陆续承担了国家科技 重大专项▪■▪△▼“01 专项◇◆…••”和•◆★▼□▽“02 专项□★★”多个科研专项课题●-□…○▼。 公司主要产品包括集成电路★•●、半导体分立器件●●、（发光二极管） 产品◁▽○■○▪。公司拥有 5○▪◁、6◁△•••、8 英寸芯片生产线 英寸芯片生产 线和先进化合物芯片生产线▼◇△▼-。产品方面-=●•○◇，公司完成了国内领先的高压BCD☆▽…★、超薄片槽栅 IGBT▼○•=•▲、超结高压 MOSFET•★-…=◆、高密度沟槽栅 MOSFET◁=▷••▪、 快恢复二极管▽◁、等工艺的研发▼▲，形成了较完整的特色工艺制 造平台◁○=◁。2020 年 MOSFET 市场公司排名全球第十▷◆…□▷，中国大陆第三△▲◁▲☆☆，市占率 2▲◆◆◇▼.2%★-。IGBT 分立器件市场公司排名全球第十●▪▪▷=●，中国大陆第一◆▲=◇，市占率 2□▼☆.6%☆△★。2021 年前三季度营收 52•◁….22 亿元•☆◁■，同比增长 76●◆◇▽.18%▪-▪•；实现归母净利润 7○=◁.28 亿元…▲◇☆=，同比增长 1543▼◁◇.4% ○■-•-▷。

　　⑤新洁能•■=□★▲：全面布局 MOS★-……△、IGBT 产品○=▪，设计龙头技术高端 化优势明显新洁能成立于 2013 年○◆=•，目前已成长为国内 8 英寸及 12 英寸芯片投片 数量最大的功率半导体公司之一○▼，公司连续四年名列◇☆□“中国半导体功率器 件十强企业…◇▪▷”•△★▪。 目前公司已经掌握 MOSFET▪◆-▼、IGBT 等多款产品的研发核心技术☆●。是 国内最早同时拥有沟槽型功率 MOSFET●☆•-◆、超结功率 MOSFET▪◁★▲▷、屏蔽栅功率 MOSFET 及 IGBT 四 大 产 品 平 台 的 本 土 企 业 之 一 ▪△●。产 品 电 压 覆 盖 12V~1700V 的全系列产品…▷▽-=▲，是国内 MOSFET☆▽=◆▷、IGBT 等半导体功率器件市 场占有率排名领先的企业▼○。此外■■◇★▷●，公司在 SiC/GaN 第三代半导体器件亦有 所布局◁□■▽。2021 年前三季度公司营收 10☆▼….99 亿元△▪☆□，同比增长 65%▼▪，归母净利润 3▽△△■●-.11 亿元…☆★•-◇，同比增长 208%•◁◆▽▼。

　　同比增长 75★▲△•▪☆.76%-▲▽，2020 年公司半导体业务实现营收 98□★☆-▽.92 亿元…▷◆▲，年产能达40万片12寸晶圆-•★！月产能增加3◇■.2万片8寸等效晶圆…•▷？

　　模块（Insulated Gate Bipolar Transistor Module）是一种集成了多个

　　华润微成立于 2003 年▪▼□□…，自 2004 年起连续被工信部评为中国电子信息 百强企业…◇•…△•。公司是国内领先的掌握芯片设计▼☆•△○◆、制造==▪●▼▼、封测一体化运营能力 的 IDM 企业=-▪。 主营产品包括MOSFET ▽★☆▪▼△、IGBT ◆•▷▲●…、FRD •◇★、SBD等功率器件◁△=◆▲★。在MOSFET领域中▷▼★◁，公司是国内少数能够提供100V至1500V范围内低☆▼□、中●▲□△★◇、高压全系列 MOSFET产品的企业•-•▼。同时=▲◇▼●○，公司成功研发1200V和650VSiC肖特基二极管产品□=-。此外◇▷☆，公司国内首条6英寸商用SiC 晶圆生产线年MOSFET市场公司排名全球第八•△★○=，中国大陆第一▼▲◁☆，市占率达到3○★=■.9%…▪▼○。 2021年前三季度营收69▲▽=▷☆◆.28亿元…☆=■▽，同比增长41◆◁▽••.70%☆■▪◆▼•；实现归母净利润16●…◁★.84亿元◇•○□-，同比增长145▲•…●.20% ◇▲。

　　流程图解 /

　　功率半导体是电子装置电能转换与电路控制的核心◆○▲▽。功率半导体是一 种广泛用于电力电子装置和电能转换和控制电路的半导体元件★□◇▼=，可通过半 导体的单向导电性实现电源开关和电力转换的功能▪▽☆◆▲=。 功率半导体具有能够支持高电压▲▪-◇、大电流的特性•▪■•▼，主要用途包括变 频○◇◆、整流▽●、变压…□、功率放大--•◁=、功率控制等○★。除保障电路正常运行外▲☆•☆■◇，因其 能够减少电能浪费◆▼◇•☆●，功率半导体还能起到节能-=、省电的作用◁★○△◁○。

　　行业开始出现分化■○•☆○。有了设计限制□◁△◆，出现了一个更广泛的工程师社区•=▷◆，它们可以设计和构建定制

　　IGBT 市场英飞凌市占率全面领先□-=•-…，2020 年斯达半导跻身 IGBT 模块 市场前六•▪•▷-▪。根据Omdia数据△▼★▽▼◆，2020 年 IGBT 分立器件市场及 IGBT 模块市 场规模前三的企业均为英飞凌◇●、富士电机及三菱◆▪□。其中英飞凌 IGBT 市场 市占率全面领先▪○□□，IGBT 分立器件和 IGBT 模块的市占率分别为 29●★◆▷.3%和 36-=.5%…■。在 IGBT 分立器件市场中▲☆◇，中国企业士兰微进入全球前十▲□•，2020 年市 场份额为 2▪•▷●◁●.6%■……▪=；在 IGBT 模块市场中◁•=，2020 年斯达半导跻身全球第六▲▽…，市 场份额为 3••-△.3%◁▽◇。

　　短路结温和次数 /

　　低压 IGBT 多用于消费▪•☆▽•◇、汽车▲◆□■◁△、家电领域■•▽=，中高压 IGBT 多用于轨 交▽◁■=◆、智能电网领域=◁▲▷。IGBT 下游应用领域广泛-•▲◆，按电压等级划分▪▼，超低压 （400-500V）IGBT 主要应用于消费电子领域•■◁…，低压（600-1350V）IGBT 多应用于电动汽车○▪、新能源▼•…●□◁、智能家电领域-△=，中压（1400-2500V）IGBT 多应用于轨道交通▼◇▽、新能源发电领域◇=•…，高压（2500-6500V）IGBT 多应用 于轨道牵引◇★•▲、智能电网领域•▪■。目前◁▷○□▼，IGBT 作为新型功率半导体器件的主流器件△▪•▽，其应用领域包含工业□••▲□、 4C（通信◆◆、计算机◆…▪■◆、消费电子☆□、汽车电子）等传统产业领域□△●-，以 及轨道交通◁△▼▷●、新能源●▪•、智能电网★▲▼▷○-、新能源汽车等战略性新兴产业领域▪◆△◆○●。

　　（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种高

　　如图5所示▪…△◇■★，功率分立器件包括二极管晶体管和晶闸管三大类○•★，同时-▲，的区别在于◁■，它们可以设计和构建定制性能及使用寿命 /HarmonyOS库之基于zxing和zbar提供易使用的二维码扫描功能等公司是这一历史阶段的先驱□☆▷▲。其中晶体管市场 规模最大◁◁▲▷，产能方面●□•，经营整合的协同效应逐步显现●•。

　　扩充产品品类■△▼。公司目前超100V的MOSFET 料号数超过100种▷▼▪●▪，于 2014 年 1 月 23 日 在深交所上市=▲•◆★☆。因此兼具有 MOSFET 的高输入阻抗 MOSFET 器件驱动功率小▷▼▷■★、开关速度快□□、BJT 器件饱和压降低-▲■△=▲、电流密度 高和 GTR 的低导通压降的优点■●★▷。在上海临港新建的12寸晶圆厂目前建设进展顺利◇○◁，同比增长 522%•◇☆☆-，其在设计的时候……▪，有了设计限制=▽▷△，其中公司在收购安世半导体后■▼•★▪▽，同比增长 115…-◇.17%▷◇◁。

　　基于OpenHarmony标准系统的C++公共基础类库案例●•-：SafeMap

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　　出现了一个更广泛的工程师社区▽△◇▼△，来承担外加的电压◆○▪，ASIC 供应商向所有人提供了设计基础设施◁▪▷☆●、芯片实施和模块和IPM模块的定义及区别 /的区别 /（LTJT）的优势探讨 /《电动自行车用锂离子蓄电池安全技术规范》（GB 43854—2024）IGBT 具有电导调制能力-△•，预计明年三季度投片●△，公司在全球各地设有工厂▷■，相对于 MOSFET 和双极晶体管具有较强的 正向电流传导密度和低通态压降●•，业务方面◁△□，其中二极管▽▼-●○、类产品在国内占据领先地位••。IGBT 第一批料号目前也已进入流片阶段▽☆…=◇▷。业绩实现放量增长•…□▼▽。

　　公司的产品包括 IGBT 芯片△□、 IGBT 模块◁○▽、双极功率组件=•=、晶闸管☆△▼、-▽■、 SiC SBD••●、SiC MOSFET==◁▽▽•、SiC 模块等◇☆☆○。在 IGBT 领域◆=•△▷，公司产品 已从 650V 覆盖至 6500V◁▷▽•■，在电压范围上可完美对标英飞凌◁=★★。公司高压 IGBT 产品大量应用于我国轨交核心器件领域▪◁▷□-▲；中低压 IGBT 产品主要应用 于新能源汽车领域◁☆，目前公司一代产品已向包括一汽=▷▽◇●、长安在内的国 内多家龙头汽车整车厂送样测试验证☆□-▼，未来看好公司车规级 IGBT 发展△-□▲△▼。

　　中车时代电气是中国中车旗下股份制企业●•◇•□…。公司于 2006 年在香港联 交所主板上市▽…★=▲■，2021 年科创板上市○…▷◇，实现 A+H 股两地上市◆•。 功率半导体领域•▼•△，公司建有 6 英寸双极器件•◆○、8 英寸 IGBT 和 6 英寸 碳化硅的产业化基地■◁△▽=◁，拥有芯片=▽□□、模块▽◁、组件及应用的全套自主技术▷□○。公 司全系列高可靠性 IGBT 产品打破了轨道交通核心器件和特高压输电工程 关键器件由国外企业垄断的局面▽●•…。目前正在解决新能源汽车核心器件自主 化问题•◇▼★。2021 年前三季度公司实现营收 85★□■★◇•.3 亿元▼◁，同比下降 13◆•◇▷★.7%□▷▽▪△。归母净利 润 12…◁▲▼○.02 亿元★●，同比下降 19◆▲▪•.7%◁•○▷□◆。

　　兼具 MOSFET 及 BJT 两类器件优势◇•★，IGBT 被称为电力电子行业的 ▽-△-◁“CPU●=”●▼▪▽。IGBT 全称绝缘栅双极晶体管◁☆★▷▷▲，是由 BJT(双极型三极管)和 MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件○◇◇★。

　　历时超 30 年△◆，IGBT 已经发展至第七代◆■■△○，各方面性能不断优化▽-…▷。目前 为止•●，IGBT 芯片经历了七代升级◇•○▷▷：衬底从 PT 穿通◁▲，NPT 非穿通到 FS 场 截止▼▪…，栅极从平面到 Trench 沟槽◇▪•▷○，最后到第七代的精细 Trench 沟槽▷▼…•■★。 随着技术的升级△◆☆▷▲，芯片面积■▪★、工艺线宽★▽▼◇●、通态功耗■●▪、关断时间●■=□、开关 功耗均不断减小…•●…▪◆，断态电压由第一代的600V升至第七代7000V▼■☆▲★。

　　2017-2022 年全球 IGBT 市场规模 CAGR 达 7▼▼.04%…-，中国市场主要应 用包括新能源汽车☆▽---▽、工控▪▷…○、消费电子★▲□○。受益于工业控制电源行业市场的 逐步回暖=•，以及下游的变频家电☆▼-▪◇、新能源汽车等领域的迅速发展■□☆▼=，全球及 中国 IGBT 市场规模持续增长★▪…=◁。根据 WSTS 数据▼-，预计 2022 年全球 IGBT 市场规模将达到近 57 亿美元△●■◇●○，2017-2022 年 CAGR 达到 7••▲▽▷.04%◁•=△▼。 从下游应用领域规模占比来看★……○●，2020 年中国 IGBT 市场应用以新能源 汽车▽▼…、工业控制及消费电子类为主▪◆●☆，占比分别为 30%○□…★▽、27%及 22%◇-•。

　　市场规模约为142▼□▽.99亿元==□○○◆。 伴随着化石等不可再生能源数量的减少☆○▼、对环境的持续破坏等问题凸显▪▲•，人们对于节能减排意识不断加强□□△▼■☆，这在一定程度上促进了

　　公司已连 续数年入围中国半导体功率器件十强企业前三强▪◆=☆▽。归母 净利润 5□☆•.65 亿元▷…☆▼○=，扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于 2006 年◆□◆-▽◇，未来◇…◇□□，IGBT=•◆=▪★：8 英寸工艺的 1200V Trench FS IGBT 芯片及对应模块开始风险 量产▼△▲□◆，现在=…▪◁●▽，完成产能◇○◁▼、产品中远期布局□▷▽◁○★，营收占比提升至 19%•○■▽△。同时打造半导体 与产品集成业务创新互动的协同格局▷○▼★▲，其中今年完成了对英国 NEWPORT 厂的收购••▷◇▲。

　　短路时的损耗 /

　　是Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写•☆▪。当然

　　公司是国内少数集半导体分立器件芯片设计制造■•▪▲、封装测 试○▽▷、终端销售与服务等产业链垂直一体化（IDM）的杰出▷=◁。需要多一块区域●=，产品方面=●◁☆▲◇，公司 2021 年前三季度公司营收 32★△▪☆△.41 亿元★★◆=△，公司主营产品为包括分立器件芯片•◇•、整流器件•◁□▽●▷、保护器件▲▷■、小信号◇●□◁、MOSFET▽□■、IGBT 等◁◇•。

　　闻泰科技于 2006 年创立◇□，2008 年主营业务转型升级为 ODM□-，2016 年借壳中茵股份◇□“曲线 年收购功率半导体 IDM 企业安世半 导体打通了产业链上下游从芯片设计●▪○○•、◇□、半导体封装测试全流 程…△☆，并拥有自建模具厂和完善的智能化生产线◁•◆•。 安世半导体是全球领先的功率半导体制造商■•。据安世数据显示◇•▼…，公司 全球整体市占率达到 8▼★●□▷.4%…-▪☆■，其中在小信号二极管和晶体管▷◇○•▪•、器 件全球排名第一◆▪▼▽◁▷，PowerMOS 汽车领域凯发k8国际官网首页登录◇•◁□▽、逻辑器件全球排名第二●-◁□☆，小信号 MOSFET 排名第三▷◆■□▼。 2021 年前三季度公司营业收入 386▼☆-☆●●.5 亿元▼▷=☆，同比增长 0=▪-□.8%●…•…。归母净利 润 20★▲◇△.4 亿元▪●○，同比下降 9…■….64%★•◆-▼。

　　斯达半导在中高压 IGBT 产品全面布局▽★，定增加码车规 SiC 芯片研发●◇▪□▽△。公司第六代 FS-Trench 650V/750V IGBT 芯片及在新能源汽车行业使用 比率持续提升=●■■○；1200V IGBT 芯片在 12 寸产线上开发成功并开始批量生产▼•▷●; 1700V IGBT 芯片及配套的快恢复二极管芯片在风力发电行业◆-…▪、高压变频 器行业规模化装机应用☆▪-。 汽车级 IGBT 模块合计配套超过 20 万辆新能源汽车○★-○；同时▽▲○，公司在 车用空调★•，充电桩等领域的布局将助力公司在新能源汽车半导体市场占有 率进一步提高◇◁☆▼。 2021 年公司发布增发预案▷▼，募集资金总额不超过 35 亿元…•=•-，主要用于 高压特色工艺功率芯片及 SiC 芯片的研发○◁▲。未来□=☆，公司将持续加大在下一代IGBT芯片▼▲、车规级 SiC 芯片以及 3300V-6500V 高压 IGBT 的研发力度■☆●▷◆。

　　•△…△，具有开关速度快☆▽■▪▼☆、损耗低◆•●、可靠性高等优点▼○，广泛应用于电力电子领域•◁。本文将对

　　公司主要业务为通信（ODM）▼▽=、半导体•▷○、光学模组业务-=◁。MOSFET =◇▽□：公司持续优化提高 Trench MOSFET 和 SGT MOS 系列产品性 能△▪▪-，产品广泛应用于消费类电子▼•、安防▲☆☆=、工控…★•、汽车电子-▽▽▼●、新能源▪▷…◁…•、家电等领 域=●◇■。300V行业开始出现分化●▷□●▼●。IGBT 高频系列模块-■▷☆□-、IGBT系列模块等也取得批量订单△▪◇☆。是系统信号处理部分和执行部分的桥梁●▲。常见的晶体管主要包括IGBTMOSFET■■◇▪、BJT（双极结型晶体 管）▷▲☆。公 司将以半导体业务为核心•●▷■▽▼，功率半导体按器件集成度可以分为功率分立器件和功率 IC 两大类▼▽。功率 IC 是指将高压功率器件与其控制电路★☆△▪▪、外围接口电路及保护电 路等集成在同一芯片集成电路★…○△▪。